| 发明名称 | 半导体栅堆叠结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体栅堆叠结构及其形成方法，其中形成方法包括以下步骤：提供顶部具有Ge层的衬底；在Ge层之上形成牺牲金属层，其中，Ge与牺牲金属层之间的界面为Ge与金属的合金层；去除牺牲金属层以暴露合金层；对合金层进行氧化处理，以形成掺有金属氧化物的GeO<sub>2</sub>的介质层；以及在介质层之上形成栅电极。本发明能够在保证良好界面特性的前提下降低Ge基栅堆叠结构的等效氧化层厚度，具有简便易行的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN103943476A | 申请公布日期 | 2014.07.23 |
| 申请号 | CN201410125729.1 | 申请日期 | 2014.03.31 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 王敬;刘磊;梁仁荣;许军 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 张大威 |
| 主权项 | 一种半导体栅堆叠结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供顶部具有Ge层的衬底；在所述Ge层之上形成牺牲金属层，其中，所述Ge与所述牺牲金属层之间的界面为Ge与金属的合金层；去除所述牺牲金属层以暴露所述合金层；对所述合金层进行氧化处理，以形成掺有金属氧化物的GeO<sub>2</sub>的介质层；以及在所述介质层之上形成栅电极。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区100084-82信箱 | ||