| 发明名称 | 半导体发光二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了半导体发光二极管及其制造方法。制造半导体发光二极管(LED)的方法包括：在具有凸起和凹陷的基板上形成发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、活性层和第二导电半导体层；从发光结构去除基板，以暴露对应于凸起和凹陷的第一凹凸部；在第一凹凸部上形成保护层；去除保护层的一部分，以暴露第一凹凸部的凸部；以及在第一凹凸部的凸部上形成第二凹凸部。半导体发光二极管(LED)包括：包括第一导电型半导体层、活性层和第二导电型半导体层的发光结构；形成在发光结构上并在其凸部处具有第二凹凸部的第一凹凸部；以及填充第一凹凸部的凹部的保护层。 | ||
| 申请公布号 | CN102315350B | 申请公布日期 | 2014.07.23 |
| 申请号 | CN201110183378.6 | 申请日期 | 2011.06.30 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金起成;金起范;金台勋;申永澈;金荣善 |
| 分类号 | H01L33/22(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/22(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 陈源;张帆 |
| 主权项 | 一种制造半导体发光二极管（LED）的方法，所述方法包括：在具有凸起和凹陷的基板上形成发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、活性层和第二导电半导体层；从所述发光结构去除所述基板，以暴露对应于所述凸起和凹陷的第一凹凸部；在所述第一凹凸部上形成保护层；去除所述保护层的一部分，以暴露所述第一凹凸部的凸部；以及在所述第一凹凸部的所述凸部上形成第二凹凸部，其中，所述第二凹凸部的图案的尺寸小于所述第一凹凸部的图案尺寸。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||