选择性外延生长工艺的前处理方法及半导体器件制造方法

摘要

本发明提供一种选择性外延生长工艺的前处理方法以及半导体器件制造方法，采用含卤素的气体对半导体衬底表面进行处理。由于含卤素气体的蚀刻性，半导体衬底表面的不平整缺陷就可以得到修复，从而得到缺陷较少或无缺陷的外延生长薄膜。又由于卤素原子与半导体衬底硅之间存在键合作用，半导体衬底表面被氯原子占据，同时氯原子在硅表面的吸附能力大于氧原子的吸附能力，所以可以进一步的去除半导体衬底表面的氧，形成表面钝化。当选择性生长硅锗或碳化硅时，卤素原子被锗或碳取代，使得外延生长薄膜的选择性提高。

主权项

一种选择性外延生长工艺的前处理方法，其特征在于，包括：采用含卤素的气体对半导体衬底表面进行处理。