发明名称 |
薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 |
摘要 |
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种TFT及其制作方法、阵列基板、显示装置,以解决在栅极上施加负向偏压时,在有源层与源极和栅极的交界处、以及有源层与漏极和栅极的交界处,会产生较大栅极负偏压漏电流,从而会导致画面品质不良问题发生的问题。本发明实施例提供一种TFT,包括栅极,位于栅极上的有源层,位于有源层上的欧姆接触层,以及位于欧姆接触层上的第一电极和第二电极;其中,欧姆接触层位于第一电极和第二电极与有源层的交叠区域;其中:有源层与所述栅极部分交叠,有源层包含至少一个镂空区域,镂空区域与所述栅极部分交叠;与有源层部分交叠的所述第一电极和/或第二电极穿过所述镂空区域延伸至有源层外。 |
申请公布号 |
CN103943684A |
申请公布日期 |
2014.07.23 |
申请号 |
CN201410115392.6 |
申请日期 |
2014.03.26 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
沈奇雨 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种薄膜晶体管,包括栅极,位于所述栅极上的有源层,位于所述有源层上的欧姆接触层,以及位于所述欧姆接触层上的第一电极和第二电极;其中,所述欧姆接触层位于所述第一电极和第二电极与所述有源层的交叠区域,其特征在于,所述有源层与所述栅极部分交叠,所述有源层包含至少一个镂空区域,所述镂空区域与所述栅极部分交叠;与所述有源层部分交叠的所述第一电极和/或第二电极穿过所述镂空区域延伸至所述有源层外。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |