| 发明名称 | 一种低介电常数薄膜的成膜方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种低介电常数薄膜的成膜方法，包括：形成第一层金属层；在第一层金属层上生长刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上生长低介电常数薄膜，其中在生长低介电常数薄膜时引入两步以上的液源稳定过程；对低介电常数薄膜进行紫外线固化；在低介电常数薄膜上沉积光刻掩模并进行光刻刻蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN103943561A | 申请公布日期 | 2014.07.23 |
| 申请号 | CN201410193144.3 | 申请日期 | 2014.05.08 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 桑宁波;雷通;贺忻 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 王宏婧 |
| 主权项 | 一种低介电常数薄膜的成膜方法，其特征在于包括依次执行：第一步骤，用于形成第一层金属层；第二步骤，用于在第一层金属层上生长刻蚀阻挡层；第三步骤，用于在刻蚀阻挡层上生长低介电常数薄膜，其中在生长低介电常数薄膜时引入两步以上的液源稳定过程；第四步骤，用于对低介电常数薄膜进行紫外线固化；第五步骤，用于在低介电常数薄膜上沉积光刻掩模并进行光刻刻蚀。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||