发明名称 石墨烯纳米带的制备方法
摘要 一种石墨烯纳米带的制备方法,包括如下步骤:将金属衬底置于酸溶液中蚀刻;在无氧条件下,将蚀刻后的金属衬底加热至600℃~900℃,使用紫外光照射金属衬底表面,并通入含碳气体与保护气,反应后,在金属衬底的表面得到碳纳米壁;按照质量比为1:0.8~1.2,将碳纳米壁与氯化物插层剂混合,加热至460℃~550℃保温反应2小时~6小时,得到氯化物的插层碳纳米壁;按照质量体积比为1克:10毫升~100毫升,将氯化物的插层碳纳米壁与离子液体混合,置于磁场强度为0.01T~1T的恒定平行磁场中离心处理,得到反应液,过滤反应液得到石墨烯纳米带。上述石墨烯纳米带的制备方法制备的石墨烯纳米带具有较高的电导率。
申请公布号 CN103935982A 申请公布日期 2014.07.23
申请号 CN201310019484.X 申请日期 2013.01.18
申请人 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 发明人 周明杰;袁新生;王要兵;吴凤
分类号 C01B31/04(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I 主分类号 C01B31/04(2006.01)I
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人 何平
主权项 一种石墨烯纳米带的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将金属衬底置于浓度为0.01mol/L~1mol/L的酸溶液中蚀刻0.5分钟~10分钟;在无氧条件下,将蚀刻后的所述金属衬底加热至600℃~900℃,使用紫外光照射所述金属衬底表面,并通入含碳气体与保护气,保持30分钟~300分钟,反应后,在所述金属衬底的表面得到碳纳米壁;其中,通入所述含碳气体的流量为10sccm~1000sccm,且所述含碳气体与所述保护气的流量比为2~10:1;按照质量比为1:0.8~1.2,将所述碳纳米壁与氯化物插层剂混合,加热至460℃~550℃保温反应2小时~6小时,得到氯化物的插层碳纳米壁;及按照质量体积比为1克:10毫升~100毫升,将所述氯化物的插层碳纳米壁与离子液体混合,并置于磁场强度为0.01特斯拉~1特斯拉的恒定平行磁场中离心处理,得到反应液,过滤所述反应液得到石墨烯纳米带。
地址 518100 广东省深圳市南山区南海大道海王大厦A座22层