基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器及其制造方法，采用选择第一阶跃阻抗谐振器上的第一预定点作为输入馈点并选择第二阶跃阻抗谐振器上的第二预定点作为输出馈点。输入馈线在该第一预定点与第一阶跃阻抗谐振器正交耦合，输出馈线在该第二预定点与第二阶跃阻抗谐振器正交耦合，使得第一阶跃阻抗谐振器以及第二阶跃阻抗谐振器的三次谐波无法响应，从而使得该基于LTCC技术的带通滤波器具有滤除三次谐波的效果，并且由于该第一预定点和第二预定点的位置采用精确计算得出，输入馈点和输出馈点的位置的选择更加精确和简单，具有精确度高、设计简单和生产过程简单的有益效果。

主权项

一种基于LTCC技术的谐波抑制带通滤波器，其特征在于，包括依次叠置的第一陶瓷基片单元(1a)、第二陶瓷基片单元(1b)、第三陶瓷基片单元(1c)、第四陶瓷基片单元(1d)、第五陶瓷基片单元(1e)、第六陶瓷基片单元(1f)；所述第一陶瓷基片单元(1a)的上表面设置有第一接地金属层(31)，所述第二陶瓷基片单元(1b)的上表面设置有第一阶跃阻抗谐振器(60)，所述第三陶瓷基片单元(1c)的上表面设置有输入馈线(10)，所述第一阶跃阻抗谐振器(60)包括互相电连接的第一阶梯部(61)和第二阶梯部(62)，所述输入馈线(10)与所述第一阶跃阻抗谐振器(60)正交耦合于所述第一阶梯部(61)的第一预定点(A)；所述第五陶瓷基片单元(1e)的上表面设置有输出馈线(20)，所述第六陶瓷基片单元(1f)的上表面设置有第二阶跃阻抗谐振器(50)，所示第六陶瓷基片单元(1f)的下表面设置有第二接地金属层(32)；所述第二阶跃阻抗谐振器(50)包括互相电连接的第三阶梯部(51)和第四阶梯部(52)；所述输出馈线(51)与所述第二阶跃阻抗谐振器(50)正交耦合于所述第三阶梯部(51)的第二预定点(B)；所述第二阶梯部(62)和所述第四阶梯部(52)相互耦合且均分别与所述第一接地金属层(31)和第二接地金属层(32)电连接以接地；其中，所述第一阶梯部(61)和所述第三阶梯部(51)的阻抗均为Z₁，所述第二阶梯部(62)和第四阶梯部(52)的阻抗均为Z₂，所述第二阶梯部(52)和第四阶梯部(62)的电长度均为θ₂，所述第一阶梯部(61)和所述第三阶梯部(51)的电长度均为θ₁；所述第一阶梯部(61)的远离所述第二阶梯部(62)的一端到所述第一预定点(A)的电长度以及为所述第三阶梯部(51)的远离所述第四阶梯部(52)的一端到所述第二预定点(B)的电长度均为θ₁₁，所述第一阶梯部(61)的另一端到所述第一预定点(A)的电长度以及所述第三阶梯部(51)的另一端到所述第二预定点(B)的电长度均为θ₁₂，并且θ₁＝θ₁₁+θ₁₂；所述第一预定点(A)和所述第二预定点(B)分别在所述第一阶梯部(61)和所述第三阶梯部(51)上的位置满足以下关系式：$\frac{Z_1{Z}_2\tan {\theta }_2+Z_1^2\tan {\theta }_{12}}{Z_1(\tan {\theta }_{11}\tan {\theta }_{12}-1)+Z_2\tan {\theta }_2(\tan {\theta }_{12}+\tan {\theta }_{11})}=0.$