发明名称 一种铕掺杂的铁酸铋薄膜及其制备方法和应用
摘要 本发明公开了一种铕掺杂的铁酸铋薄膜,其包括以镍酸镧为缓冲层的硅衬底和组成式为Bi<sub>1-x</sub>Eu<sub>x</sub>FeO<sub>3</sub>(0≤x≤0.07)的靶材,靶材沉积在衬底上。本发明还公开了铕掺杂的铁酸铋薄膜的制备方法,清洗衬底,将靶材和衬底置于镀膜室内,调节压强至5×10<sup>-4</sup>Pa以下。以每分钟10℃使衬底升温至700℃;调节使溅射气压为10Pa;在温度700℃、氧压10Pa下保持10分钟。调节使衬底反转,靶材正转;衬底和靶材的距离为6cm。以脉冲激光器进行薄膜沉积60min,保温30min。以每分钟20℃的速度降温,至200℃取出得到铕掺杂的铁酸铋薄膜。本发明的制备方法反应过程易于控制,原料易得。本发明铕掺杂的铁酸铋薄膜的结晶性能、漏电性能明显得到改善,光学带隙变小,提高了BiFeO<sub>3</sub>薄膜的光伏性能,具有广泛的应用前景。
申请公布号 CN103938156A 申请公布日期 2014.07.23
申请号 CN201410097917.8 申请日期 2014.03.17
申请人 华东师范大学 发明人 刘建;翟学珍;曹辉义;周文亮;杨平雄;褚君浩
分类号 C23C14/06(2006.01)I;C23C14/28(2006.01)I 主分类号 C23C14/06(2006.01)I
代理机构 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 代理人 董红曼
主权项 一种铕掺杂的铁酸铋薄膜,其特征在于,包括衬底和靶材,所述靶材沉积在所述衬底上;其中,所述衬底是以镍酸镧为缓冲层的硅衬底,所述靶材组成式为Bi<sub>1‑x</sub>Eu<sub>x</sub>FeO<sub>3</sub>,0≤x≤0.07。
地址 200062 上海市普陀区中山北路3663号