| 发明名称 | 一种生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜，包括生长在GaAs衬底上的GaAs缓冲层、生长在GaAs缓冲层上的InGaAsN外延层薄膜。本发明还公开上述生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜的制备方法，GaAs缓冲层和InGaAsN外延层薄膜均采用分子束外延生长方法。本发明得到的InGaAsN薄膜表面平整、成分均匀，带宽为1eV，对半导体器件领域，尤其是太阳电池领域，有着积极的促进意义。 | ||
| 申请公布号 | CN103943700A | 申请公布日期 | 2014.07.23 |
| 申请号 | CN201410157665.3 | 申请日期 | 2014.04.18 |
| 申请人 | 华南理工大学 | 发明人 | 李国强;李景灵;高芳亮;管云芳;温雷;张曙光 |
| 分类号 | H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0304(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人 | 陈文姬 |
| 主权项 | 一种生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜，其特征在于，包括生长在GaAs衬底上的GaAs缓冲层、生长在GaAs缓冲层上的InGaAsN外延层薄膜。 | ||
| 地址 | 510640 广东省广州市天河区五山路381号 | ||