| 发明名称 | 一种MOSFET隔离驱动电路 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种功率驱动电路，具体公开一种MOSFET隔离驱动电路，它包括输入电路、光耦和驱动电路；输入电路与光耦连接，光耦与驱动电路连接。本实用新型具有强弱电隔离功能、防栅极过压保护功能、负压关断功能，提高了MOSFET功率管的运行可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN203734516U | 申请公布日期 | 2014.07.23 |
| 申请号 | CN201420109712.2 | 申请日期 | 2014.03.12 |
| 申请人 | 北京精密机电控制设备研究所;中国运载火箭技术研究院 | 发明人 | 郑再平;李建明;黄玉平;郑继贵;周寿明;高建华 |
| 分类号 | H02M1/08(2006.01)I;H02M1/32(2007.01)I;H02M1/44(2007.01)I;H02H7/12(2006.01)I | 主分类号 | H02M1/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 核工业专利中心 11007 | 代理人 | 高尚梅 |
| 主权项 | 一种MOSFET隔离驱动电路，其特征在于：它包括输入电路、光耦（1）和驱动电路；输入电路与光耦（1）连接，光耦（1）与驱动电路连接；输入电路由第三电阻（R3）和第四电阻（R4）组成，第三电阻（R3）和第四电阻（R4）串联，第三电阻（R3）的另一端与信号输入端（6）连接，第四电阻（R4）的另一端与控制地（2）连接；光耦（1）的第2引脚与第三电阻（R3）和第四电阻（R4）的串联点相连接，光耦（1）的第3引脚、第1引脚、第4引脚均分别接控制地（2）。 | ||
| 地址 | 100076 北京市丰台区南大红门路1号 | ||