发明名称 一种DRAM双芯片堆叠封装结构和封装方法
摘要 本发明公开了一种DRAM双芯片堆叠封装结构和封装方法,两芯片中的一个直接倒装在基板上,另一个则贴装在前一个芯片上,所需要的工艺步骤减少,且倒装和键合的工艺难度都不高,整体的工艺难度降低,切不需要做焊点再分布,从而大大降低了封装成本。另一方面,工艺上的简单化,容易保证产品良率和生产效率。另外,该结构相比于既有的结构厚度减小,适用性更强。
申请公布号 CN103943615A 申请公布日期 2014.07.23
申请号 CN201410199594.3 申请日期 2014.05.13
申请人 山东华芯半导体有限公司 发明人 孟新玲;隋春飞;刘昭麟;户俊华;栗振超
分类号 H01L25/065(2006.01)I;H01L23/492(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L25/065(2006.01)I
代理机构 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人 丁修亭
主权项 一种DRAM双芯片堆叠封装结构,其特征在于,包括:基板(1),设有基板电路并具有第一面和与该第一面相对的第二面;第一芯片(3),正面朝向基板(1)而倒装于所述基板(1);第二芯片(5),背面贴装于所述第一芯片的背面,并通过引线(6)与所述基板(1)键合;以及封装体(2),用于将基板(1)、第一芯片(3)以及第二芯片(5)封装为一体。
地址 250101 山东省济南市高新区新泺大街1768号齐鲁软件园大厦B座二层