高品质因数变压器集成电路、封装集成电路及其形成方法

摘要

一种组合件涉及集成电路裸片，其通过多个低电阻微凸块接合(例如，倒装芯片接合)到非半导体衬底。在一个新颖方面中，新颖高频变压器的至少一部分安置于所述非半导体衬底中，其中所述非半导体衬底为球栅阵列(BGA)集成电路封装的衬底。所述低电阻微凸块中的至少一者将所述变压器在所述衬底中的所述部分连接到所述集成电路裸片中的电路。在两千兆赫下，所述新颖变压器具有至少为0.4的耦合系数k且还具有至少为十的变压器品质因数Q。所述新颖变压器结构用于将混频器的差分输出耦合到蜂窝式电话内的RF收发器的发射链中的驱动放大器的单端输入。

主权项

一种结构，其包含：非半导体衬底，其包括变压器的一部分；及集成电路裸片，其通过多个微凸块接合到所述非半导体衬底，其中所述变压器的位于所述非半导体衬底中的所述部分连接到所述微凸块中的至少一者，其中所述变压器的所述部分包括至少一个完整匝，并且其中所述至少一个完整匝完全设置在所述非半导体衬底中。