发明名称 |
一种采用管式PECVD制备太阳能电池叠层减反射膜的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种采用PECVD制备太阳能电池叠层减反射膜的方法,包括选取晶体硅片,对晶体硅片进行制绒和扩散工序,还包括在制绒和扩散后的晶体硅片的受光面上采用PECVD依次沉积SiOx、SiNx和SiOx叠层膜或SiOx、SiNx和SiOxNy叠层膜,以达到提高经后续常规工艺制得的太阳能电池片的光电转换效率以及抗电位诱发衰减PID特性,该方法对硅片损伤小,工艺简洁,便于规模化,且能降低硅片表面界面态,提高钝化效果,降低反射率,有利于改善电池的转换效率和抗PID特性。 |
申请公布号 |
CN103943717A |
申请公布日期 |
2014.07.23 |
申请号 |
CN201410100385.9 |
申请日期 |
2014.03.19 |
申请人 |
晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 |
发明人 |
宋锋兵;闫用用;张惠;何大娟;李积伟 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/42(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
广州知友专利商标代理有限公司 44104 |
代理人 |
李海波 |
主权项 |
一种采用管式PECVD制备太阳能电池叠层减反射膜的方法,包括选取晶体硅片,对晶体硅片进行制绒和扩散工序,其特征是:还包括在制绒和扩散后的晶体硅片的受光面上采用管式PECVD依次沉积SiOx、SiNx和SiOx叠层膜或SiOx、SiNx和SiOxNy叠层膜,以达到提高经后续常规工艺制得的太阳能电池片的光电转换效率以及抗电位诱发衰减PID特性。 |
地址 |
225131 江苏省扬州市扬州经济开发区建华路1号 |