发明名称 |
一种ZnO三维同质pn结纳米阵列及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及ZnO三维同质pn结纳米阵列及其制备方法,该阵列的主干为垂直于衬底的一维p型ZnO纳米线,分支为径向分布的n型ZnO纳米棒。制备方法包括利用气相法在衬底上制备一维直立的ZnO纳米线阵列,通过扩散法把上述阵列转变为一维p型ZnO纳米线阵列,最后通过水热法在p型ZnO纳米阵列上生长径向分布的n型ZnO纳米棒。本发明方法简单易行,重复性高,可通过控制气相反应生长温度和液相溶液浓度来分别调节三维ZnO纳米同质pn结阵列主干和分支的长度和密度,可广泛应用于纳米光电、光催化和能量转换器件等领域。 |
申请公布号 |
CN102583227B |
申请公布日期 |
2014.07.23 |
申请号 |
CN201210064478.1 |
申请日期 |
2012.03.13 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
张宏海;吕建国;叶志镇;胡亮;杨晓朋;黄俊 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 33200 |
代理人 |
韩介梅 |
主权项 |
一种ZnO三维同质pn结纳米阵列的制备方法,该ZnO三维同质pn结纳米阵列的主干为垂直于衬底的一维p型ZnO纳米线,分支为径向分布的n型ZnO纳米棒,其制备包括以下步骤:1)将纯ZnO粉末和纯石墨粉按质量比2:1放入石英U型管中,将长有ZnO籽晶层的衬底放入U型管口一侧,生长室真空度至少抽至10 Pa,衬底加热升温到900~950℃,生长室通入纯氮气和纯氧气,氮气流量为90~99 sccm,氧气流量为1~10 sccm,控制压强为1000~1300 Pa,生长一维直立的ZnO纳米线阵列;2)将上述长有一维直立的ZnO纳米线阵列的衬底放入石英舟内,覆盖在p型扩散源上,将石英舟放入生长室,升温至600~800℃,真空抽至10 pa,通入纯氧气,流量为100 sccm,控制压强为2000~5000 Pa,保温2~3小时,形成垂直于衬底的一维p型ZnO纳米线阵列;3)将浓度为0.5~1 mg/ml的ZnO纳米晶氯仿溶液滴在上述一维p型ZnO纳米线阵列上,升温至200~300℃保持10~50分钟,然后将衬底面朝下放置在浓度均为0.01~0.025 mol/L的六亚甲基四氨和二水硝酸锌混合溶液的聚四氟乙烯内胆内,加热到80~100℃保温5~20小时,得到主干为一维p型ZnO纳米线,分支为径向分布的n型ZnO纳米棒的ZnO三维同质pn结纳米阵列。 |
地址 |
310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |