发明名称 一种多孔Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>纳米片的制备方法
摘要 本发明涉及一种多孔Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>纳米片的制备方法,包括:(1)泡沫镍在盐酸溶液中超声清洗,除去表面的氧化镍,然后洗涤、干燥;(2)向Co(NO<sub>3</sub>)<sub>2</sub>溶液中滴加DMSO溶液,搅拌均匀;(3)将制得的镍浸入上述溶液中,对镍表面进行电化学沉积,得到Co(OH)<sub>2</sub>纳米片,然后清洗、干燥、煅烧,即得多孔Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>超级电容器材料。本发明制备的方法工艺简单、经济、易于操作;制备的多孔Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>纳米片具有超薄的结构和优异的电化学性能;在超级电容器、锂离子电池材料等方面具有广阔的应用前景。
申请公布号 CN102874882B 申请公布日期 2014.07.23
申请号 CN201210438944.8 申请日期 2012.11.06
申请人 东华大学 发明人 胡俊青;李文尧;邹儒佳;李高;徐开兵;孙建庆;刘倩
分类号 C01G51/04(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I 主分类号 C01G51/04(2006.01)I
代理机构 上海泰能知识产权代理事务所 31233 代理人 黄志达;谢文凯
主权项 一种多孔Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>纳米片的制备方法,包括:(1)泡沫镍在盐酸溶液中超声清洗,除去表面的氧化镍,然后洗涤、干燥;(2)向Co(NO<sub>3</sub>)<sub>2</sub>溶液中滴加DMSO溶液,搅拌均匀;(3)将制得的镍浸入上述溶液中,对镍表面进行电化学沉积,得到Co(OH)<sub>2</sub>纳米片,然后清洗、干燥、煅烧,即得多孔Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>超级电容器材料;其中电化学沉积电位为‑1V,电化学沉积时间为5~20min。
地址 201620 上海市松江区松江新城人民北路2999号
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