在转接板工艺中采用CMP对基板表面进行平坦化的方法

摘要

本发明提供了一种采用聚合物基板或覆有聚合物的其他材料基板的转接板工艺中利用CMP对基板表面进行平坦化的方法。聚合物的亚胺化程度与CMP研磨速率密切相关，为了获得较高的研磨速率，对聚合物基板或覆有聚合物的其他材料基板进行特定的固化处理。所述聚合物为聚酰亚胺或苯丙二丁烯，经过CMP处理的表面均匀性可达到<1%：采用2~3步研磨速率由高到低的CMP，并在研磨后进行清洗。本发明利用廉价材料上覆有聚合物或直接采用聚合物基板作为转接板基板，相较于传统的硅基板，成本会大大降低，表面均匀性则更优，对后续刻蚀，CVD，PVD，Lithography工艺作好准备，为3D集成向高密度高精度方向发展提供了可能。

主权项

在转接板工艺中采用CMP对基板表面进行平坦化的方法，其特征是，包括以下步骤：(1)提供聚合物基板或表面覆有聚合物的基板，基板上聚合物的厚度在工艺要求的基础上增加10%~15%作为CMP研磨余量；所述聚合物为聚酰亚胺或苯丙二丁烯；(2)对上述基板进行固化处理，使聚合物表面接触角小于70度； (3)在深孔刻蚀之前采用CMP对表面进行平坦化处理，达到表面均匀性为1%的平坦化要求；具体为采用2~3步研磨速率由高到低的CMP研磨，并在研磨后进行清洗处理；选用如下耗材：(a)胶体研磨液，其中研磨颗粒包括氧化硅、氧化铈，或氧化铝；研磨颗粒大小范围为5~160nm;研磨液中研磨颗粒的含量在0.01wt%~20wt%范围内；PH应大于7；研磨液中包括20~80ºC的温度范围内粘度稳定在18 mPa﹒s ~300 mPa﹒s之间的物质；(b)活化聚合物表面，加快聚合物水解的添加剂，包括：去离子水，氢氧化钾，或四甲基氢氧化铵；(c)硬度在50 shore D和60 shore D之间的硬质研磨垫与硬度小于50 shore D的软性研磨垫配合使用。