发明名称 |
集成分布布拉格反射光栅的增强型石墨烯波导探测器 |
摘要 |
一种集成分布布拉格反射光栅的增强型石墨烯波导探测器,该光电探测器制作在SOI衬底上,包括:一光波导,形成在衬底纵向的上面;一绝缘透明薄膜均匀制作在衬底上,并覆盖光波导;一石墨烯薄膜制作在绝缘透明薄膜上,并覆盖条状的该光波导的中间部分;一第一金属电极,其具有一接触端和条状的电极端,其接触端制作在绝缘透明薄膜上的一侧,其电极端纵向制作在石墨烯薄膜上;一第二金属电极,其具有一接触端和条状的电极端,其接触端制作在绝缘透明薄膜上的一侧,其电极端纵向制作在石墨烯薄膜上;一栅电极窗口,其形成于绝缘透明薄膜上,位于暴露的绝缘透明薄膜的任意表面。本发明将石墨烯光电探测器与波导、谐振腔等集成,克服了光响应度低的缺陷。 |
申请公布号 |
CN103943715A |
申请公布日期 |
2014.07.23 |
申请号 |
CN201410095871.6 |
申请日期 |
2014.03.14 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
王玉冰;尹伟红;韩勤;杨晓红 |
分类号 |
H01L31/112(2006.01)I;H01L31/0232(2014.01)I |
主分类号 |
H01L31/112(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
任岩 |
主权项 |
一种集成分布布拉格反射光栅的增强型石墨烯波导探测器,该光电探测器制作在SOI衬底上,包括:一光波导,该光波导为条状,形成在衬底纵向的上面;一绝缘透明薄膜,该绝缘透明薄膜均匀制作在衬底上,并覆盖光波导;一石墨烯薄膜,其制作在绝缘透明薄膜上,并覆盖条状的该光波导的中间部分;一第一金属电极,该第一金属电极有一接触端和条状的电极端,其接触端制作在绝缘透明薄膜上的一侧,其电极端纵向制作在石墨烯薄膜上,而位于条状的光波导的一侧;一第二金属电极,该第二金属电极有一接触端和条状的电极端,其接触端制作在绝缘透明薄膜上的一侧,其电极端纵向制作在石墨烯薄膜上,而位于条状的光波导的另一侧;一栅电极窗口,其形成于绝缘透明薄膜上,位于暴露的绝缘透明薄膜的任意表面。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |