| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法、电子部件 | ||
| 摘要 | 提供一种能够同时实现贯通电极的微细化和表面电极的缩小化的半导体装置、以及无论表面电极的大小如何都能够使贯通电极与表面电极可靠地接触的半导体装置的制造方法。在Si基板(29)的表面(13)选择性地形成多个绝缘膜环(32)，以与绝缘膜环(32)的开口(42)相对置的方式形成表面焊盘(33)。接着，通过从背面(14)对Si基板(29)进行蚀刻，形成经过绝缘膜环(32)的开口(42)后达到表面焊盘(33)的贯通孔(56)，在贯通孔(56)的侧面形成通孔绝缘膜(35)后，在贯通孔(56)中填充电极材料，从而以与表面焊盘(33)电连接的方式形成贯通电极(17)。 | ||
| 申请公布号 | CN103946962A | 申请公布日期 | 2014.07.23 |
| 申请号 | CN201280056172.X | 申请日期 | 2012.11.14 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 三桥敏郎 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 韩聪 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：半导体基板；在上述半导体基板的表面选择性地形成的多个绝缘膜环；贯通电极，通过上述绝缘膜环的开口，贯通上述半导体基板的上述表面和背面之间；通孔绝缘膜，设置在上述贯通电极和上述半导体基板之间；和表面电极，相对于上述半导体基板的上述表面的上述绝缘膜环朝向上述表面侧远离且与上述开口相对置地形成，并与上述贯通电极电连接。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||