集成电路装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种集成电路装置及其制造方法，该集成电路装置包括一衬底，衬底包括一第一区与一第二区。一凹处形成于第一区中。一具有交替排列的多个有源层与多个绝缘层的叠层沉积在凹处中。叠层包括一特定绝缘层，特定绝缘层具有一第一厚度，其中第一厚度、有源层的厚度以及叠层中的其他绝缘层的厚度的总和实质上等于凹处的深度。第一厚度与叠层中除了该特定绝缘层外的其他绝缘层的厚度的差值是在凹处的深度、有源层的厚度以及绝缘层的厚度的工艺差异的范围内。装置包括一平坦化表面，平坦化表面位在第一区与第二区之上，其中最上层的有源层的上表面低于平坦化表面。

主权项

一种集成电路装置(integrated circuit device)的制造方法，包括：刻蚀一衬底以形成一凹处(pit)，该凹处具有低于该衬底的一上表面的一目标深度(target depth)；测量该凹处以取得一测量深度；沉积一叠层于该衬底上的至少该凹处中，该叠层包括交替排列的多个有源层与多个绝缘层，其中根据该凹处的该目标深度与该测量深度的一差值，该多个绝缘层的至少之一具有一厚度；以及进行一平坦化工艺以提供一平坦化表面，其中该多个有源层的最上层具有一上表面低于该平坦化表面。