发明名称 |
发光器件、发光器件封装、发光器件的制造方法及照明系统 |
摘要 |
本发明提供了一种发光器件、发光器件封装、发光器件的制造方法及照明系统。根据实施例的发光器件包括:导电支撑构件;在导电支撑构件上的发光结构,该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及在第一和第二导电半导体层之间的有源层;以及在发光结构上的保护器件。 |
申请公布号 |
CN102194847B |
申请公布日期 |
2014.07.23 |
申请号 |
CN201110041640.3 |
申请日期 |
2011.02.18 |
申请人 |
LG伊诺特有限公司 |
发明人 |
丁焕熙;李尚烈;宋俊午;崔光基 |
分类号 |
H01L27/15(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L27/15(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
夏凯;谢丽娜 |
主权项 |
一种发光器件,包括:导电支撑构件;发光结构,所述发光结构在所述导电支撑构件上,并且包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层;以及保护器件,所述保护器件在所述第一导电半导体层上;欧姆接触层,所述欧姆接触层在所述导电支撑构件和所述第二导电半导体层之间;附着层,所述附着层在所述导电支撑构件和所述欧姆接触层之间,其中所述保护器件包括硅衬底,并且其中所述硅衬底设置在所述第一导电半导体层的顶表面的边缘部分处,其中,所述保护器件包括:主体,所述主体包括第一导电掺杂物;掺杂部分,所述掺杂部分设置在所述主体的上部处并且包括第二导电掺杂物;以及第二电极,所述第二电极在所述掺杂部分上,其中,所述主体的第一导电掺杂物与所述第一导电半导体层相比是相反的导电类型,其中,所述附着层的至少顶部通过所述欧姆接触层被暴露。 |
地址 |
韩国首尔 |