半导体装置

摘要

本发明公开的第一半导体装置具备包括单元区域和在单元区域的周边设置的非单元区域的半导体基板。单元区域具备：第一导电型的第一半导体区域；第二导电型的第二半导体区域，其形成在第一半导体区域的表面侧的半导体基板的表面；沟道型的绝缘栅极，其从半导体基板的表面侧贯通第二半导体区域而形成到与第一半导体区域相接的深度，并且长边方向沿第一方向延伸；和第一沟道导电体，其至少一部分形成在绝缘栅极与非单元区域之间的单元区域，并在沟道内填充有被绝缘膜覆盖的导电体。第一沟道导电体具备沿第一方向延伸的第一部分和沿着与第一方向正交并从单元区域侧朝向非单元区域的第二方向突出的第二部分，第二部分的底部的至少一部分到达比第一半导体区域与第二半导体区域的边界深的位置。

主权项

一种半导体装置，具备包括单元区域和在单元区域的周边设置的非单元区域的半导体基板，其中，单元区域具备：第一导电型的第一半导体区域；第二导电型的第二半导体区域，其形成在第一半导体区域的表面侧的半导体基板的表面；沟道型的绝缘栅极，其从半导体基板的表面侧贯通第二半导体区域而形成到与第一半导体区域相接的深度，并且长边方向沿第一方向延伸；和第一沟道导电体，其至少一部分形成在绝缘栅极与非单元区域之间的单元区域，并在沟道内填充有被绝缘膜覆盖的导电体，第一沟道导电体具备沿第一方向延伸的第一部分和沿着与第一方向正交并从单元区域侧朝向非单元区域的第二方向突出的第二部分，第二部分的底部的至少一部分到达比第一半导体区域与第二半导体区域的边界深的位置。