靶材的制造方法及系统

摘要

本发明提供一种靶材的制造方法及系统，属于薄膜场效应晶体管液晶显示器领域。其中，该靶材的制造方法包括：通过质量测定模块获取靶材的刻蚀质量以及未使用前的原始质量；通过处理模块和深度测定模块确定所述靶材的相对刻蚀深度；所述处理模块根据所述刻蚀质量和所述相对刻蚀深度计算得出所述靶材的相对刻蚀质量；所述处理模块根据所述相对刻蚀质量和所述靶材未使用前的原始质量，确定所述靶材的利用参数；处理模块对所述靶材的利用参数进行模拟优化，在利用参数达到预设值时，重新确定对应的靶材参数，并输出所述靶材参数给生产控制中心。本发明实施例可以综合反映靶材的利用效果，优化靶材的设计。本发明的技术方案适用于ITO溅射中对靶材的生产。

主权项

一种靶材的制造方法，其特征在于，包括：通过质量测定模块获取靶材的刻蚀质量以及未使用前的原始质量；通过处理模块确定所述靶材的相对刻蚀深度，具体包括：通过选取模块在所述靶材上确定一个以上测试点；通过深度测定模块获取每个测试点的刻蚀深度；所述处理模块计算所有测试点的刻蚀深度的平均值，作为所述靶材的平均刻蚀深度；所述处理模块将所有测试点中刻蚀深度最大的值作为所述靶材的最大刻蚀深度；所述处理模块根据所述平均刻蚀深度和所述最大刻蚀深度确定所述靶材的相对刻蚀深度；所述处理模块根据所述刻蚀质量和所述相对刻蚀深度计算得出所述靶材的相对刻蚀质量；所述处理模块根据所述相对刻蚀质量和所述靶材未使用前的原始质量，确定所述靶材的利用参数，所述利用参数为利用率，具体为根据公式（1）计算靶材的利用率：$\mathrm{TU}=\frac{(M_0-M_1)\times \bar{d}/d_{\mathrm{Max}}}{M_0}\times 100\%---\left(1\right)$其中，M₀为靶材未使用前的原始质量，M₁为靶材使用后的剩余质量、为靶材的平均刻蚀深度、d_max为靶材的最大刻蚀深度；所述处理模块对所述靶材的利用参数进行模拟优化，在所述利用参数达到预设值时，重新确定对应的靶材参数，并输出所述靶材参数给生产控制中心。