| 发明名称 | 一种具有垂直磁各向异性纳米点阵列的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种可应用于高密度磁存储的纳米结构材料的制备方法，具体的说是一种具有垂直磁各向异性纳米点阵列的制备方法。该制备方法包括以下步骤：①、衬底的制备，采用自组装技术制备单层呈六角密堆的胶体阵列球面衬底；②、双层膜沉积，采用溅射技术向①中制得的胶体阵列球面衬底上沉积Co/Pt多层膜，使得小球间隙的薄膜厚度仅为小球顶部薄膜厚度的2/3，从而获得具有垂直磁各向异性纳米点。本方法制备的纳米点阵列边缘结构完整、存储性能好、垂直各向异性强的。 | ||
| 申请公布号 | CN102543107B | 申请公布日期 | 2014.07.23 |
| 申请号 | CN201010575867.1 | 申请日期 | 2010.12.07 |
| 申请人 | 吉林师范大学 | 发明人 | 王雅新;张永军;杨景海 |
| 分类号 | G11B5/84(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/84(2006.01)I |
| 代理机构 | 吉林省长春市新时代专利商标代理有限公司 22204 | 代理人 | 石岱 |
| 主权项 | 一种具有垂直磁各向异性纳米点阵列的制备方法，该制备方法包括以下步骤：①、衬底的制备，采用自组装技术制备单层呈六角密堆的胶体阵列球面衬底；②、双层膜沉积，采用溅射技术向①中制得的胶体阵列球面衬底上沉积Co/Pt多层膜；其特征在于：所述沉积Co/Pt多层膜是在小球顶部形成曲面纳米点，在小球间隙处形成三角形状的纳米点，使得得到的小球间隙的薄膜厚度仅为小球顶部薄膜厚度的2/3，从而在胶体球顶部获得具有垂直磁各向异性纳米点阵列；所述沉积Co/Pt多层膜薄膜子层厚度Co为0.5‑2.0nm，Pt为0.8‑3nm时，产生垂直磁各向异性的纳米结构对应的角度θ<sub>c</sub>为30‑15°，所述θ<sub>c</sub>为产生垂直磁各向异性的临界角度，对于角度小于θ<sub>c</sub>时，该多层膜不表现垂直磁各向异性；对于角度大于θ<sub>c</sub>时，该多层膜具有垂直磁各向异性。 | ||
| 地址 | 136000 吉林省四平市海丰大街1301号 | ||