| 发明名称 | 一种基于外延层转移实现N面GaN的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种基于外延层转移实现N面GaN的方法，包括：1）用稀释的盐酸清洗Si基GaN、半导体圆片表面，再用去离子水进行冲洗，然后放入甩干机进行甩干；2）在Si基GaN圆片和半导体圆片的正面分别旋涂粘附剂作为键合材料，转速1000rpm-5000rpm，时间为30-60秒；3）将Si基GaN、半导体圆片正面朝上放在热板上烘烤，热板温度100-110摄氏度；4）Si基GaN、半导体圆片在室温下冷却后，将Si基GaN、半导体圆片正面相对在温度为180-250摄氏度的条件下键合。优点：利用粘附剂键合的方法将Si基GaN外延层转移得到N面GaN，其工艺简单，打破了原有外延生长难度大以及质量差的限制。 | ||
| 申请公布号 | CN103943459A | 申请公布日期 | 2014.07.23 |
| 申请号 | CN201410132530.1 | 申请日期 | 2014.04.03 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 发明人 | 吴立枢;赵岩;程伟;刘昊;石归雄 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人 | 沈根水 |
| 主权项 | 一种基于外延层转移实现N面GaN的方法，其特征是该方法包括以下步骤：1）用稀释的盐酸清洗Si基GaN圆片和半导体圆片表面，再用去离子水进行冲洗，然后放入甩干机进行甩干；2）在Si基GaN圆片和半导体圆片的正面分别旋涂粘附剂作为键合材料，转速1000rpm‑5000rpm，时间为30‑60秒；3）将Si基GaN圆片和半导体圆片正面朝上放在热板上烘烤2~5分钟，热板温度100‑110摄氏度；4）待Si基GaN圆片和半导体圆片在室温下自然冷却后，将Si基GaN圆片和半导体圆片正面相对在温度为180‑250摄氏度的条件下键合；5）将Si基GaN圆片的Si衬底刻蚀去除。 | ||
| 地址 | 210016 江苏省南京市中山东路524号 | ||