鳍式场效应晶体管的形成方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有鳍部，所述鳍部的顶表面具有硬掩膜层，所述鳍部之间具有隔离结构，所述鳍部的顶表面高于所述隔离结构的顶表面，且所述鳍部的顶表面与所述隔离结构顶表面的高度差大于所述硬掩膜层的厚度；在所述鳍部和所述隔离结构上形成第一伪栅材料层；研磨所述第一伪栅材料层，直至暴露出所述硬掩膜层表面；去除所述硬掩膜层；在所述第一伪栅材料层上形成第二伪栅材料层，所述第二伪栅材料层覆盖所述鳍部的顶表面；刻蚀所述第二伪栅材料层和所述第一伪栅材料层，形成伪栅。本发明的鳍式场效应晶体管的形成方法，伪栅材料层表面更平整，伪栅高度更均匀。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有鳍部，所述鳍部的顶表面具有硬掩膜层，所述鳍部之间具有隔离结构，所述鳍部的顶表面高于所述隔离结构的顶表面，且所述鳍部的顶表面与所述隔离结构顶表面的高度差大于所述硬掩膜层的厚度；在所述鳍部和所述隔离结构上形成第一伪栅材料层，所述第一伪栅材料层的厚度大于所述鳍部的高度；研磨所述第一伪栅材料层，直至暴露出所述硬掩膜层表面；去除所述硬掩膜层，暴露出所述鳍部的顶表面；在所述第一伪栅材料层上形成第二伪栅材料层，所述第二伪栅材料层覆盖所述鳍部的顶表面；刻蚀所述第二伪栅材料层和所述第一伪栅材料层，形成伪栅。