减少化学机械研磨后铜互连结构材料损伤的方法

摘要

本发明公开了一种减少化学机械研磨后铜互连结构材料损伤的方法，包括下列步骤：选择填充低介电常数介质材料的铜互连结构作为基底，由下而上依次为低介电常数介质层、阻挡层和电镀的铜金属层；通过化学机械研磨去除表面多余的铜和阻挡层，进行清洗干燥；对已有介质损伤和金属材料损伤的互连结构做氧化处理，将受损结构转化为氧化层；采用湿化学去除的方法去除受损结构转化成的氧化层；对残留的介质受损结构或金属上的金属氧化物进行处理。本发明可以获得无损伤的互连结构，由于不存在受损缺陷层，经本发明处理后的基底与后续薄膜结合紧密，有利于互连结构的电迁移和可靠性寿命的提升，可以提高现有工艺的可靠性，产品良率和整体芯片性能。

主权项

一种减少化学机械研磨后铜互连结构材料损伤的方法，其特征在于，包括下列步骤：选择填充低介电常数介质材料的铜互连结构作为基底，由下而上依次为低介电常数介质层、阻挡层和电镀的铜金属层；通过化学机械研磨去除表面多余的铜和阻挡层，进行清洗干燥；对已有介质损伤和金属材料损伤的互连结构做氧化处理，将受损结构转化为氧化层；采用湿化学去除的方法去除受损结构转化成的氧化层；采用还原性气氛处理，对残留的介质受损结构和金属上的金属氧化物进行处理；其中，采用对低介电常数介质刻蚀弱，对氧化硅刻蚀强的高选择比化学刻蚀液进行上述湿化学去除受损结构转化成的氧化层。