发明名称 一种多晶硅沉积用的硅芯的制备方法及装置
摘要 本发明公开了一种多晶硅沉积用的硅芯的制备方法及装置。所述装置包括用于盛放硅料的石英管和硅芯生长炉;其中,所述硅芯生长炉包括:底座;位于所述底座上的保温炉体,所述炉体上设置有进气口和出气口;设置在所述炉体内壁、在竖直方向依序排列的多个发热体;位于所述炉体底部、水平放置的衬板;设置在所述炉体内与所述衬板相互平行的第一限位孔板和第二限位孔板,所述第一限位孔板和第二限位孔板上设置有多个一一相互对应的、用于放置所述石英管的限位孔;设置在第一限位孔板上的第一测温元件、设置在第二限位孔板上的第二测温元件和设置在衬板上的第三测温元件。本发明所提供的装置在制备硅芯时能够提高硅芯的制备效率,且不会造成硅料的浪费。
申请公布号 CN102492980B 申请公布日期 2014.07.23
申请号 CN201110424011.9 申请日期 2011.12.16
申请人 国电宁夏太阳能有限公司 发明人 侯俊峰;杨光军;李峰;武在军;毕明锋;王耀挺
分类号 C30B11/00(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 主分类号 C30B11/00(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 逯长明
主权项 一种多晶硅沉积用的硅芯的制备装置,其特征在于,包括用于盛放硅料的石英管和硅芯生长炉;其中,所述硅芯生长炉包括:底座;位于所述底座上的保温炉体,所述炉体上设置有进气口和出气口;设置在所述炉体内壁、在竖直方向依序排列的多个发热体;位于所述炉体底部、水平放置的衬板;设置在所述炉体内与所述衬板相互平行的第一限位孔板和第二限位孔板,所述第一限位孔板和第二限位孔板上设置有多个一一相互对应的、用于放置所述石英管的限位孔;设置在第一限位孔板上的第一测温元件、设置在第二限位孔板上的第二测温元件和设置在衬板上的第三测温元件。
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