| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及半导体器件。本实用新型的一个实施例解决的问题是有效减少接触电阻，同时基本保持在欧姆接触部与2DEG层之间的相同的器件尺寸。在一个实施例中，半导体器件包括：在半导体基板上的沟道形成层；在所述沟道形成层上的阻挡层；在所述阻挡层和所述沟道形成层之间的界面处形成的二维电子气层；与所述阻挡层处于被间隔开的关系的控制电极；以及包含与所述二维电子气层欧姆接触并且不平行于沟道宽度方向的多个侧面的第一凹槽结构欧姆电极，其中与所述二维电子气层欧姆接触的所述第一凹槽结构欧姆电极的侧面具有波状形状。该实施例的一个用途是有效减少接触电阻，同时基本保持在欧姆接触部与2DEG层之间的相同的器件尺寸。 | ||
| 申请公布号 | CN203733803U | 申请公布日期 | 2014.07.23 |
| 申请号 | CN201420116919.2 | 申请日期 | 2014.03.14 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | A·巴纳尔吉;P·莫恩斯 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 杨国权 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：在半导体基板上的沟道形成层；在所述沟道形成层上的阻挡层；在所述阻挡层和所述沟道形成层之间的界面处形成的二维电子气层；与所述阻挡层处于被间隔开的关系的控制电极；以及包含与所述二维电子气层欧姆接触并且不平行于沟道宽度方向的多个侧面的第一凹槽结构欧姆电极，其中与所述二维电子气层欧姆接触的所述第一凹槽结构欧姆电极的侧面具有波状形状。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||