参考电阻优化的相变存储器读电路及参考电阻优选方法

摘要

本发明提供一种参考电阻优化的相变存储器读电路及参考电阻优选方法，所述读电路包括：参考模块、参考相变存储单元写电路、参考相变存储单元电压嵌位、电流乘积平方根电路及电流灵敏放大器。本发明根据相变存储单元的读出原理，通过对两个参考相变存储单元分别进行RESET及SET操作得到高低参考电阻，对高低参考阻值进行乘积平方根运算后得到读电路的参考阻值，使读电路能够适应不同的相变单元材料和不同的工艺条件，从而提高相变存储器的数据读出可靠性。

主权项

一种参考电阻优化的相变存储器读电路，其特征在于，包括：参考模块、参考相变存储单元写电路、参考相变存储单元电压嵌位、电流乘积平方根电路及电流灵敏放大器；所述参考模块包括用于代表相变存储器的低电阻值的第一参考单元，以及用于代表相变存储器的高电阻值的第二参考单元；所述参考相变存储单元写电路用于提供所述第一参考单元及第二参考单元的SET及RESET操作；所述参考相变存储单元电压嵌位用于提供所述第一参考单元及第二参考单元的电压，以获得流过已进行过SET或RESET操作的第一参考单元及第二参考单元的电流；所述电流乘积平方根电路用于将流过已进行过SET或RESET操作的所述第一参考单元及第二参考单元的电流进行乘积平方根操作；所述电流灵敏放大器用于比较流过参考模块及相变存储器中阵列相变存储单元的电流值，从而读出相变存储器的存储数据。