| 主权项 |
一种用于分散测定半导体结构的串联电阻的方法，所述半导体结构为太阳能电池（1）或太阳能电池（1）的前体，所述半导体结构包括至少一个pn结和所述半导体结构的用于电接触的触点，其中，该方法包括以下步骤：A、在测量条件A下使所述半导体结构内形成发光，在该测量条件下，在所述半导体结构的触点之间存在电压V<sub>A</sub>并且分别为所述半导体结构的多个点测量基于该点的局部光强I<sub>LA,i</sub>；B、在测量条件B下使所述半导体结构内形成发光，在该测量条件下，在所述半导体结构的触点之间存在电压V<sub>B</sub>并且分别为所述半导体结构的多个点测量基于该点的局部光强I<sub>LB,i</sub>，其中，在测量条件B中通过所述半导体结构的触点之间的电流大于测量条件A中通过所述半导体结构的触点之间的电流；C、为所述半导体结构的多个给定的点测定局部校准参数C<sub>V,i</sub>，该局部校准参数用于表示局部光强与在该点上局部施加于半导体元件的电压之间设置的数学关系，其中，至少根据步骤A中测出的光强I<sub>LA,i</sub>和测量条件A中在所述半导体结构的触点之间存在的电压V<sub>A</sub>来测定所述局部校准参数C<sub>V,i</sub>；以及D、至少根据至少一个在步骤B中测出的局部光强I<sub>LB,i</sub>和至少一个在步骤C中测定的局部校准参数C<sub>V,i</sub>分别为所述半导体结构的多个给定的点测定所述局部串联电阻R<sub>S,i</sub>；其特征在于，在步骤D中，附加地，为所述半导体结构的所有局部串联电阻都设置相同的全局串联电阻R<sub>Sg</sub>，根据该全局串联电阻分别测定所述局部串联电阻R<sub>S,i</sub>，并且在步骤D中，为所有所述局部串联电阻设置相同的全局换算系数f，根据该全局换算系数来换算所述局部串联电阻R<sub>S,i</sub>，其中，通过所述局部串联电阻R<sub>S,i</sub>与所述全局串联电阻R<sub>Sg</sub>之间设置的数学关系来确定所述全局换算系数f。 |
