发明名称 |
纳米多层膜、场效应管、传感器、随机存储器及制备方法 |
摘要 |
一种电场调控型纳米多层膜、电场调制型场效应管、开关型电场传感器及电场驱动型随机存储器及制备方法,以用来获得室温下电场调制多层薄膜中的电致电阻效应。该纳米多层膜由下至上依次包括底层1、基片、底层2、功能层、缓冲层、绝缘层、中间导电层、覆盖层,中间导电层为磁性金属、磁性合金或者磁性金属复合层时,缓冲层和绝缘层可以根据实际需要选择性的添加。当中间导电层为非磁性金属层或反铁磁性金属层时,缓冲层和绝缘层必须添加,以便获得较高的信噪比。本发明通过变化的电场对铁电或多铁性材料的电极化特性进行调制,从而达到影响和改变金属层的电导的作用,调控器件电阻的变化,获得不同的电场下对应不同的电阻态,实现电致电阻效应。 |
申请公布号 |
CN102487124B |
申请公布日期 |
2014.07.23 |
申请号 |
CN201110290063.1 |
申请日期 |
2011.09.21 |
申请人 |
中国科学院物理研究所 |
发明人 |
韩秀峰;刘厚方;瑞之万 |
分类号 |
H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
梁挥;鲍俊萍 |
主权项 |
一种电场调控型纳米多层膜,其特征在于,由下至上依次包括: 底层; 基片衬底; 缓冲层; 绝缘势垒层; 导电层; 顶部覆盖层; 其中所述底层为导电材料,作为下电极用于在基片衬底上施加电场;基片衬底为铁电或多铁性材料,可在电场的作用下改变和调控其电极化强度的大小及其方向;缓冲层作为上电极用于在铁电或多铁性材料上施加电场;中间的绝缘势垒层为氧化物;顶部覆盖层为保护层,防止中间导电层被氧化;通过在所述的底层和缓冲层之间施加电场,由于基片衬底的电极化强度大小及其方向的改变,影响和改变该导电层的面内电导,可获得不同电场下不同的电阻态,导致可逆电致电阻效应的产生。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村南三街8号 |