半导体装置结构及形成CMOS集成电路结构的方法

摘要

本发明涉及半导体装置结构及形成CMOS集成电路结构的方法，提供数种用于形成CMOS集成电路结构的方法，该等包含：进行第一植入制程用以对半导体基板的区域进行晕环植入与源极和漏极延伸部植入中的至少一者，然后在该半导体基板的另一区域中形成应力源区。此外，提供一种半导体装置结构，该结构包含邻近栅极电极结构而埋藏于半导体基板的应力源区，该埋藏应力源区有一表面与一接口在该表面的法线方向相差小于约8纳米，其中该接口形成于该栅极电极结构与该基板之间。

主权项

一种用于形成CMOS集成电路结构的方法，包含：提供具有第一晶体管区及第二晶体管区的半导体基板，各具有栅极电极结构；形成第一掩模结构于该半导体基板上方，掩模该第一晶体管区并暴露该第二晶体管区的至少一部份；对于该第二晶体管区的该暴露部份，进行包含晕环植入与源极和漏极延伸部植入中的至少一者的第一植入制程；移除该第一掩模结构；以及随后形成第二掩模结构于该半导体基板上方，掩模该第二晶体管区并暴露该第一晶体管区的至少一部份；在该第一晶体管区的该暴露部份内形成应力源部；以及在该第二晶体管区中形成N型源极和漏极区。