利用自组装单分子膜对贵金属进行正性和负性刻蚀的方法

摘要

本发明公开了一种利用自组装单分子膜对贵金属进行正性和负性刻蚀的方法，首先在贵金属表面修饰一层自组装单分子膜，然后在其上覆盖光掩模，用紫外光辐照，再用N-溴代丁二酰亚胺和吡啶的水溶液进行处理，主要通过调控紫外光辐照时间，实现对贵金属薄膜正性或者负性刻蚀。本发明打破传统常规认识，仅仅利用一种表面修饰的自组装单分子膜同时实现了对贵金属薄膜的正性和负性刻蚀，操作过程简单易行，所需时间短，所用刻蚀液低毒，刻蚀得到的图案尺寸变化率小，解决了微接触转印法存在的图案尺寸变化率大、只能进行负性刻蚀的问题。

主权项

一种利用自组装单分子膜对贵金属进行正性和负性刻蚀的方法，其特征在于：在贵金属表面修饰一层自组装单分子膜，在其上覆盖光掩模，用紫外光辐照，然后在刻蚀液中浸泡2～15分钟，得到正性或负性的刻蚀图案；上述的刻蚀液是N‑溴代丁二酰亚胺、吡啶、蒸馏水的混合液，混合液中N‑溴代丁二酰亚胺的浓度为20～70mmol/L、吡啶的浓度为100～240mmol/L。