| 发明名称 | 浅沟槽隔离结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种浅沟槽隔离结构及其形成方法，其浅沟槽隔离结构包含一上绝缘部与一下绝缘部，该下绝缘部包含一第一绝缘体以及位于该第一绝缘体周围的一绝缘层，该上绝缘部包含一第二绝缘体以及位于该第二绝缘体周围的一缓冲层，部分的该缓冲层中介于该第一绝缘体与该第二绝缘体之间，且该缓冲层的外周壁与该第一绝缘体的周壁齐平。 | ||
| 申请公布号 | CN103943621A | 申请公布日期 | 2014.07.23 |
| 申请号 | CN201310022495.3 | 申请日期 | 2013.01.22 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 刘恩铨;曹博昭;梁家瑞;吴家荣 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种浅沟槽隔离结构，包含：上绝缘部与下绝缘部，位于一基底的一沟槽中，其中该下绝缘部包含第一绝缘体以及位于该第一绝缘体的周壁及底面的一绝缘层，该上绝缘部包含第二绝缘体以及位于该第二绝缘体的周壁及底面的一缓冲层，部分的该缓冲层中介于该第一绝缘体与该第二绝缘体之间，且该缓冲层的外周壁与该第一绝缘体的周壁齐平。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||