| 发明名称 |
具有被动元件结构之半导体结构及其制造方法 |
| 摘要 |
一种具有被动元件结构之半导体结构及其制造方法。半导体结构包括绝缘基板、被动元件结构层、电性触点及介电层。被动元件结构层形成于绝缘基板。电性触点形成于被动元件结构层。介电层覆盖电性触点之一部分，电性触点之另一部分系从介电层之开孔露出。 |
| 申请公布号 |
TWI446507 |
申请公布日期 |
2014.07.21 |
| 申请号 |
TW100100719 |
申请日期 |
2011.01.07 |
| 申请人 |
日月光半导体制造股份有限公司 高雄市楠梓加工区经三路26号 |
发明人 |
施旭强;李 德章;谢孟伟 |
| 分类号 |
H01L23/498;H05K1/18;H01L21/48 |
主分类号 |
H01L23/498 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
| 主权项 |
一种具有被动元件结构之半导体结构，包括：一绝缘基板，具有一第一贯孔；一被动元件结构层，形成于该绝缘基板；一第一电性触点，形成于该被动元件结构层；一第二电性触点，形成于该第一贯孔；以及一第一介电层，覆盖该第一电性触点之一部分，其中该第一介电层具有一第一开孔，该第一电性触点之另一部分系从该第一开孔露出。 |
| 地址 |
高雄市楠梓加工区经三路26号 |
