氧化铝烧结体、及其制法与半导体制造装置部件

摘要

本发明提供一种氧化铝烧结体的制法，系在低温下烧结由普通氧化铝粉末制作的成形体。本发明的氧化铝烧结体的制法包括：(a)将至少含有Al2O3和MgF2的混合粉末、或者Al2O3、MgF2、MgO的混合粉末成形为规定形状的成形体的步骤；(b)在真空氛围下或非氧化性氛围下将该成形体热压煅烧成氧化铝烧结体的步骤，即，相对于Al2O3100重量份的MgF2的用量为X(重量份)，热压煅烧温度为Y(℃)时，设定热压煅烧温度满足下式(1)～(4)的步骤：;1120≦Y≦1300...(1)，0.15≦X≦1.89　...(2)，;Y≦－78.7X+1349...(3)，Y≧－200X+1212...(4)。

主权项

一种氧化铝烧结体的制法，包括下列步骤：(a)将至少包含Al2O3和MgF2的混合粉末或者Al2O3、MgF2和MgO的混合粉末成形为规定形状的成形体的步骤；(b)在真空氛围下或非氧化性氛围下将该成形体热压煅烧，制成为氧化铝烧结体的步骤，即，相对于Al2O3100重量份的MgF2的用量为X重量份、热压煅烧温度为Y℃时，设定热压煅烧温度满足下式(1)~(4)的步骤，1120Y1300...(1) 0.15X1.89...(2) Y-78.7X+1349...(3) Y-200X+1212...(4)。