| 发明名称 |
高分子化合物、正型光阻材料及图案形成方法 |
| 摘要 |
本发明提供一种高分子化合物，其特征为：包含感应选自于紫外线、远紫外线、电子射线、X射线、准分子雷射、γ射线、以及同步辐射(synchrotron radiation)中的高能量射线而产生酸之以下述通式(1a)及/或(1b)表示之结构的重复单元、以下述通式(2a)及/或(2b)表示之结构的具有内酯环之重复单元、以及以下述通式(3)表示之酸不稳定单元，而且其中任一重复单元均未包含羟基。;本发明的高分子化合物，作为正型光阻材料的基质聚合物系为有用，而包含该高分子化合物的正型光阻材料，系使细微图案的形状成为矩形，并可提升图案倒塌耐性。 |
| 申请公布号 |
TWI445721 |
申请公布日期 |
2014.07.21 |
| 申请号 |
TW100140556 |
申请日期 |
2011.11.07 |
| 申请人 |
信越化学工业股份有限公司 日本 |
发明人 |
小林知洋;长泽贤幸;谷口良辅;大泽洋一;船津显之;橘诚一郎 |
| 分类号 |
C08F220/38;C08F220/18;G03F7/039;H01L21/027 |
主分类号 |
C08F220/38 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
周良谋 新竹市东大路1段118号10楼;周良吉 新竹市东大路1段118号10楼 |
| 主权项 |
一种高分子化合物，其特征为：包含感应选自于紫外线、远紫外线、电子射线、X射线、准分子雷射、γ射线、以及同步辐射(synchrotron radiation)中的高能量射线而产生酸之以下述通式(1a)及/或(1b)表示之结构的重复单元、以下述通式(2a)及/或(2b)表示之结构的具有内酯环之重复单元、以及以下述通式(3)表示之酸不稳定单元，而且其中任一重复单元均未包含羟基；各重复单元的组成比，将以该通式(1a)及/或(1b)表示之结构的重复单元之合计的含有率定为a莫耳%，将以该通式(2a)及/或(2b)表示之结构的重复单元之合计的含有率定为b莫耳%，将以该通式(3)表示之酸不稳定单元之合计的含有率定为c莫耳%，而且，将以该式(2a)及/或(2b)表示之结构以外的含内酯环单元之合计的含有率定为d莫耳%，并将其他重复单元之合计的含有率定为e莫耳%时，系满足以下条件：a+b+c+d+e=100莫耳% 0<a≦30 0<b≦80 0<c≦80 0≦d≦50 0≦e≦10；(式中，R1表示氢原子或甲基；R2表示氢原子或三氟甲基；该式(1a)中，R3、R4及R5各别独立地表示取代或无取代之碳数1~10之直链状、分支状或环状的烷基、烯基或是侧氧烷基、或是取代或无取代之碳数6~18的芳基、芳烷基或芳基侧氧烷基；R3、R4及R5中之任两个，亦可相互键结，并与式中的硫原子一起形成环；该式(1b)中，R6及R7各别独立地表示取代或无取代之碳数6~18的芳基)；(式中，R1表示氢原子或甲基)；(式中，R1表示氢原子或甲基；x为0或1；L表示酸不稳定基)。 |
| 地址 |
日本 |
