发明名称 |
用于提供具有压合自由层之磁穿隧接面元件之方法和系统以及使用该磁性元件之记忆体 |
摘要 |
一种用于提供可使用于磁性装置中的磁性子结构的方法与系统,以及使用该磁性子结构的磁性元件与记忆体。该磁性子结构包含复数层铁磁性层与复数层非磁性层。该复数层铁磁性层内插有该复数层非磁性层。该复数层铁磁性层不能与该复数层非磁性层混合且对该复数层非磁性层化学稳定,该复数层铁磁性层与该复数层非磁性层之间实质上亦无无产生磁性无感层的交互作用。再者,该复数层非磁性层于该复数层铁磁性层中引发垂直非等向性。当写入电流通过该磁性子结构时,该磁性子结构系经组构为可在复数个稳定磁性状态之间进行切换。 |
申请公布号 |
TWI446341 |
申请公布日期 |
2014.07.21 |
申请号 |
TW100124891 |
申请日期 |
2011.07.14 |
申请人 |
弘世科技公司 美国 |
发明人 |
罗堤斯 丹尼尔;陈杰永;谭杰特;华特斯 史帝芬M |
分类号 |
G11B5/39 |
主分类号 |
G11B5/39 |
代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
主权项 |
一种磁性子结构,系使用于磁性装置中,该磁性子结构包括:复数层铁磁性层;复数层非磁性层,该复数层铁磁性层系内插有该复数层非磁性层,该复数层铁磁性层不能与该复数层非磁性层混合且对该复数层非磁性层化学稳定,该复数层铁磁性层与该复数层非磁性层之间实质上亦无产生磁性无感层的交互作用,该复数层非磁性层于该复数层铁磁性层中引发垂直非等向性,其中,该垂直非等向性对应于垂直非等向性能量,且其中,该磁性子结构具有垂直面的消磁能量,该垂直非等向性能量系大于该垂直面的消磁能量;其中,当写入电流通过该磁性子结构时,该磁性子结构系经组构为可在复数个稳定磁性状态之间进行切换。 |
地址 |
美国 |