发明名称 利用多相溶液之基板清理技术
摘要 一种清理半导体晶圆之相对表面的方法与系统,于该等相对表面上具有微粒物质。该方法包含在一流体与该基板之间产生相对运动。该相对运动系位于横切该等相对表面其中之一之法向的方向,并且产生两分离流。每一该等流系邻接于该等相对表面其中之一,该相对表面系不同于该等复数流的剩余流所邻接的该相对表面。该流体具有混入于其中的耦合成份,并且该相对运动被建立而对该等耦合成份的一子集合施予足够的拖曳力,以在该流体内产生该子集合之该等耦合成份的运动。以此种方式对该微粒物质施予一拖曳力,该拖曳力可导致该微粒物质相对于该基板而移动。
申请公布号 TWI445848 申请公布日期 2014.07.21
申请号 TW097115555 申请日期 2008.04.28
申请人 兰姆研究公司 美国 发明人 艾瑞克M 弗利尔;约翰M 德赖瑞厄斯;麦可 瑞夫肯;密克海尔 克罗立克;佛礼兹C 瑞德克
分类号 C25F3/30;B08B3/00;B08B3/10;H01L21/30 主分类号 C25F3/30
代理机构 代理人 许峻荣 新竹市民族路37号10楼
主权项 一种清理基板的方法,该基板具有相对表面,该等表面的其中之一于其上包含污染物,该方法包含:将该基板置于充满一溶液之一浸入槽中;于一横切该等相对表面之一的法向的方向,在该溶液与该基板之间产生相对运动,以在引进该基板及从该浸入槽移除该基板且启动产生一第一流的一或更多第一阀时产生两分离流,每一该等分离流于一共同方向上移动,该溶液具有混入于其中的耦合成份,并且该相对运动对该等耦合成份的一子集合施予足够的拖曳力,以在该溶液内产生该子集合之该等耦合成份的运动,并且对该污染物施予一拖曳力,而导致该污染物相对于该基板而移动,该等耦合成份之硬度低于该基板之一表面上之硬度;及在关闭该一或更多第一阀且启动产生与该第一流反向之一第二流的一或更多第二阀时,反转该等分离流之方向,其中一处理器与一溶液输送子系统、一载具子系统、及一壳体总成进行资料传递以控制该基板之放置,其中一记忆体与该处理器进行资料传递,其中该记忆体储存待以该处理器进行操作的电脑可读取指令,该等电脑可读取指令包含用以控制该载具子系统并将该基板置入该浸入槽中的一第一码集、以及用以控制该溶液输送子系统的一第二码集。
地址 美国