发明名称 |
具有超级介面的功率元件 |
摘要 |
一种具有超级介面的功率元件,包含基材、主体、源极结构及闸极结构。基材成第一导电性,主体包含载子浓度小于基材载子浓度且成第一导电性的原质部,及与原质部接触并成相反于第一导电性的第二导电性的改质部,改质部具有截面宽度不大于原质部的截面宽度的填充区及围覆填充区侧周面的扩散区,扩散区与原质部交界处晶格连续并为超级介面,源极结构连结改质部并成第一导电性,闸极结构包括连结原质部的介电材与导电材。本发明利用扩散区与原质部间晶格连续的超级介面,供电荷不堆积于缺陷(defect)处而维持电流在开启及关闭时皆正常作动。 |
申请公布号 |
TWI446538 |
申请公布日期 |
2014.07.21 |
申请号 |
TW100115347 |
申请日期 |
2011.05.02 |
申请人 |
茂达电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区笃行一路6号 |
发明人 |
林永发;徐守一;吴孟韦;陈面国;石逸群 |
分类号 |
H01L29/78;H01L29/40 |
主分类号 |
H01L29/78 |
代理机构 |
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代理人 |
高玉骏 台北市松山区南京东路3段248号7楼;杨祺雄 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
主权项 |
一种具有超级介面的功率元件,包含:一基材,以半导体材料构成并具有预定主要载子浓度而成第一导电性;一主体,包含一主要载子浓度小于该基材主要载子浓度并成第一导电性的原质部,及一与该原质部实体接触并成相反于第一导电性的第二导电性的改质部,该改质部具有一截面宽度不大于该原质部的截面宽度的填充区,及一围覆该填充区侧周面的扩散区,该扩散区与该原质部的交界处晶格连续并界定为超级介面,且该填充区与该扩散区的交界处是经由蚀刻配合磊晶所形成之一晶格不连续的界面,且该填充区二个侧面彼此平行;一源极结构,与该基材间隔并与该主体的改质部实体接触,且主要载子浓度不小于该主体之原质部的主要载子浓度且成第一导电性;及一闸极结构,包括一与该改质部连结的介电材,及一与该介电材连结且与该主体间隔的导电材。 |
地址 |
新竹市新竹科学工业园区笃行一路6号 |