发明名称 封装结构及其制作方法
摘要 一种封装结构的制作方法。提供一具有彼此相对的一上表面与一下表面以及一连通上表面与下表面之开口的基材。配置一电子元件于开口中。压合一黏着层及一位于黏着层上的图案化金属层于基材的下表面上。黏着层与图案化金属层暴露出电子元件的一底表面。形成一散热柱于黏着层与图案化金属层所暴露出电子元件的底表面上。散热柱连接图案化金属层与电子元件的底表面。分别压合一第一叠层结构及一第二叠层结构于基材的上表面上与图案化金属层上。第一叠层结构覆盖基材的上表面与电子元件的一顶表面。第二叠层结构覆盖散热柱与图案化金属层。
申请公布号 TWI446464 申请公布日期 2014.07.21
申请号 TW100117788 申请日期 2011.05.20
申请人 旭德科技股份有限公司 新竹县湖口乡新竹工业区光复北路8号 发明人 孙世豪
分类号 H01L21/56;H01L23/34 主分类号 H01L21/56
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种封装结构的制作方法,包括:提供一基材,该基材具有彼此相对的一上表面与一下表面以及一连通该上表面与该下表面的开口;配置一电子元件于该基材的于开口中;压合一黏着层及一位于该黏着层上的图案化金属层于该基材的该下表面上,其中该黏着层与该图案化金属层暴露出该电子元件的一底表面;形成一散热柱于该黏着层与该图案化金属层所暴露出该电子元件的该底表面上,其中该散热柱连接该电子元件的该底表面,且该散热柱相对远离该电子元件的一第一表面与该图案化金属层相对远离该黏着层的一第二表面齐平;以及分别压合一第一叠层结构及一第二叠层结构于该基材的该上表面上与该图案化金属层上,其中该第一叠层结构覆盖该基材的该上表面与该电子元件的一顶表面,而该第二叠层结构覆盖该散热柱与该图案化金属层。
地址 新竹县湖口乡新竹工业区光复北路8号