| 发明名称 |
装置及其制造方法 |
| 摘要 |
在一制造软性记忆体装置及半导体装置的方法中，一包括有元件层与密封该元件层之绝缘层的堆叠形成在具有分隔层之基板上，且该堆叠从该分隔层分离。该元件层包括具有位于一电极对间之含有有机化合物之层的记忆体元件，且该电极对至少其中之一系使用含锡的合金层来形成。该软性记忆体装置及半导体装置包括具有一位于第一电极层与第二电极层之电极对间之含有有机化合物之层的记忆体元件，其中该电极层对至少其中之一系使用含锡的合金层来形成。 |
| 申请公布号 |
TWI446529 |
申请公布日期 |
2014.07.21 |
| 申请号 |
TW096144779 |
申请日期 |
2007.11.26 |
| 申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 日本 |
发明人 |
汤川干央;杉泽希;永田贵章;吉富修平;相泽道子 |
| 分类号 |
H01L27/28;H01L27/10;H01L51/05;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L27/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
| 主权项 |
一种包含记忆体元件的装置，该记忆体元件包含一位于第一电极层与第二电极层间的含有有机化合物之层，其中该第二电极层包含含有锡及银的合金。 |
| 地址 |
日本 |
