具有多通道装置结构之多操作模式电晶体

摘要

本发明提供一种多操作模式电晶体，其中利用具有不同的个别操作特征之多个通道。多个通道具有可独立调整之临界电压(threshold voltage)。该临界电压之独立调整包括提供以下之至少一者：于不同的通道中之不同的个别掺杂浓度、用于分隔开该通道之不同的闸极介电质之不同的个别闸极介电质厚度、以及用于该不同的通道之不同的个别矽通道厚度。

主权项

一种形成半导体装置之方法，包括以下步骤：形成多个通道；在该多个通道上形成闸极电极；以及对各通道独立地调整临界电压，其中，对各通道独立地调整该临界电压的步骤包含充份地、不同地调整该临界电压以使施加特定的闸极电压将打开该多个通道之两相邻通道之其中一者，而该两相邻通道之另一者维持关闭；以及藉由控制被打开及关闭之该两相邻通道的数目而控制驱动电流至特定值。