复合氮化物半导体结构的磊晶成长

摘要

在此提出制造复合氮化物半导体结构的设备及方法。III族前驱物和氮前驱物流入第一处理室，以利用热化学气相沉积制程沉积第一层于基材上。基材从第一处理室传送到第二处理室。III族前驱物和氮前驱物流入第二处理室，以利用热化学气相沉积制程沉积第二层于第一层上。第一与第二III族前驱物具有不同的III族元素。

主权项

一种处理一或多个基材以至少部分地形成一复合氮化物元件之方法，包含：沉积一包含氮之第一层于一或多个基材与一气体分配板上，该一或多个基材系置于一第一处理室中且该气体分配板位于该第一处理室中；透过该第一处理室中之该气体分配板输送一清洗前驱物气体至该第一处理室之该处理区，该清洗前驱物气体包含氯气；及在输送该清洗前驱物气体至该气体分配板之前激发该清洗前驱物气体以形成电浆物种，好移除该第一处理室中之该气体分配板上沉积之该第一层的一部分。