| 发明名称 |
发光二极体、发光二极体灯及照明装置 |
| 摘要 |
本发明系关于一种发光二极体，其特征系具备：发光部，其系具有交替积层由组成式(InX1Ga1-X1)As(0≦X1≦1)所构成的井层、与由组成式(AlX2Ga1-X2)Y1In1-Y1P(0≦X2≦1、0<Y1≦1)所构成的障壁层之量子井构造的活性层、夹住该活性层之由组成式(AlX3Ga1-X3)Y2In1-Y2P(0≦X3≦1、0<Y2≦1)所构成的第1引导层与第2引导层、与隔着该第1引导层与第2引导层之各层而夹住该活性层之第1包覆层与第2包覆层；电流扩散层，其系形成于该发光部上；及机能性基板，其系接合于该电流扩散层；而该第1与第2包覆层为由组成式(AlX4Ga1-X4)Y3In1-Y3P(0≦X4≦1、0<Y3≦1)所构成。 |
| 申请公布号 |
TWI446580 |
申请公布日期 |
2014.07.21 |
| 申请号 |
TW100102032 |
申请日期 |
2011.01.20 |
| 申请人 |
昭和电工股份有限公司 日本 |
发明人 |
粟饭原范行;濑尾则善;村木典孝 |
| 分类号 |
H01L33/06;H01L33/30 |
主分类号 |
H01L33/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;丁国隆 台北市大安区敦化南路2段77号8楼 |
| 主权项 |
一种发光二极体，其特征为：具备：发光部，其系具有：交替积层由组成式(InX1Ga1-X1)As(0.1X10.3)所构成的井层与由组成式(AlX2Ga1-X2)Y1In1-Y1P(0X21、0<Y11)所构成的障壁层之量子井构造的活性层、夹住该活性层之由组成式(AlX3Ga1-X3)Y2In1-Y2P(0X31、0<Y21)所构成的第1引导层与第2引导层、与隔着该第1引导层与第2引导层的各层而夹住该活性层之第1包覆层与第2包覆层；电流扩散层，其系形成于该发光部上；及机能性基板，其系接合于该电流扩散层；该第1与第2包覆层为由组成式(AlX4Ga1-X4)Y3In1-Y3P(0X41、0<Y31)所构成；以及发光波长为900nm以上985nm以下。 |
| 地址 |
日本 |
