用于改善电晶体至电晶体应力均匀度之技术

摘要

一种积体电路(100)具有内含一覆盖在形成于一半导体基板126内之主动扩散区112上方之主动闸极结构108之电晶体。一种伪闸极结构110形成于一扩散区上方并与该主动闸极结构分隔一选取距离(d2)。一覆盖在该电晶体阵列上方之应力层(130)产生该电晶体之通道区域(107)内之应力。

主权项

一种积体电路，包括：一具有一主动闸极结构之电晶体，该主动闸极结构覆盖在一形成于一半导体基板内之主动扩散区上方；一接触，电性地连接至该主动扩散区；一边界扩散区，形成在该半导体基板中邻近于该主动扩散区，其中该边界扩散区被掺杂而不同于该主动扩散区；其中该接触重叠该主动扩散区并且不重叠该边界扩散区；一伪闸极结构，至少部分地置于该边界扩散区上方并与该主动闸结构分隔一选取距离，该伪闸极结构系电性地耦合至该接触；及一应力层，覆盖在该电晶体阵列上方以在该电晶体之通道区域内产生应力。