发明名称 用于蚀刻轮廓控制的气体注入系统
摘要 本发明涉及电浆蚀刻设备所具备的气体注入系统,尤其是涉及一种用于蚀刻轮廓控制的气体注入系统,包括从隔室上部供给反应气体的上部气体注入器和从隔室侧面供给调节气体的侧部气体注入器或从晶圆下侧向上喷射调节气体的背面气体注入器,侧部气体注入器或背面气体注入器以放射状形成多个喷射口的同时,将喷射口邻接于边缘部而设置,使调节气体能够近距离喷射到晶圆的边缘部,从而能容易地控制边缘部的蚀刻率或CD(critical dimension)均匀度或轮廓,以提高晶圆整体的蚀刻均匀度,最小化不良率,还能显着提高边缘部的晶片良率。
申请公布号 TWI446441 申请公布日期 2014.07.21
申请号 TW100105824 申请日期 2011.02.22
申请人 DMS有限公司 南韩 发明人 徐圣述;高诚庸;蔡允淑;蔡焕国;金起铉;李元默
分类号 H01L21/3065 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人 洪尧顺 台北市内湖区行爱路176号3楼
主权项 一种用于蚀刻轮廓控制的气体注入系统,包括:上部气体注入器,从隔室上部供给反应气体;以及侧部气体注入器,放射状地形成复数个喷射口,从而沿着该隔室的内周面从多个位置同时喷射调节气体,在该喷射口的端部上分别连接设置有导管,该导管使该调节气体近距离喷射到加载在该隔室内侧的晶圆的边缘部;其中,该导管的中央部向下弯折而形成,使该导管的前端部邻接位于该晶圆的边缘部的上侧部。
地址 南韩