| 发明名称 |
发光二极体 |
| 摘要 |
本发明提供一种发光二极体，包括：一基底；一多结晶层，位于该基底上，该多结晶层含有矽；一第一接触层，位于该多结晶层上；一活性层，位于该第一接触层上；以及一第二接触层，位于该活性层上。 |
| 申请公布号 |
TWI446573 |
申请公布日期 |
2014.07.21 |
| 申请号 |
TW098100021 |
申请日期 |
2009.01.05 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
发明人 |
陈鼎元;邱文智;余佳霖;余振华 |
| 分类号 |
H01L33/00 |
主分类号 |
H01L33/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
| 主权项 |
一种发光二极体，包括：一基底；一多结晶层，位于该基底上，该多结晶层包括多晶矽；一第一接触层，位于该多结晶层上；一活性层，位于该第一接触层上；以及一第二接触层，位于该活性层上；其中，该第一接触层掺有第一导电型的掺质，该第二接触层掺有第二导电型的掺质。 |
| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
