积体电路结构之制造方法

摘要

一种积体电路结构之制造方法，至少包括：提供一基材；形成一金属特征于基材上；形成一介电层于金属特征上；以及形成一开口于介电层中。经由开口暴露出金属特征之至少一部分。因此，一氧化层形成在金属特征之一暴露部分上。此方法更包括，在具有真空环境之一生产机台中，进行一氧化物移除制程，以移除氧化层。在形成开口之步骤与氧化物移除制程之间，并未在生产机台外对金属特征进行额外之氧化物移除制程。此方法更包括：在生产机台中，形成一扩散阻障层于开口中、以及形成一晶种层于扩散阻障层上。

主权项

一种积体电路结构之制造方法，至少包括：提供一基材；形成一金属特征于该基材上；形成一介电层于该金属特征上；形成一开口于该介电层中，其中经由该开口暴露出该金属特征之至少一部分，且其中一氧化层形成在该金属特征之一暴露部分上；在具有一真空环境之一生产机台中，进行一氧化物移除制程，以移除该氧化层，其中在形成该开口之步骤与该氧化物移除制程之间，并未在该生产机台外对该金属特征进行额外之氧化物移除制程；在该氧化物移除制程之后，仅利用一种或多种不与该金属特征或该氧化层反应之气体来进行一排气制程，以排除该氧化物移除制程所产生之水气；在该生产机台中，形成一扩散阻障层于该开口中；以及在该生产机台中，形成一晶种层于该扩散阻障层上。