| 发明名称 |
藉由使用氮化铝来增加微结构中之铜基金属化结构之信赖性 |
| 摘要 |
本发明系揭露一种藉由使用氮化铝来增加微结构中之铜基金属化结构之信赖性的方法及相关半导体装置。藉由以自限制程顺序来形成氮化铝层，可显着增强铜基金属化层的界面特性同时仍然保持层堆叠(layer stack)的总介电系数(permitivity)于较低位准。 |
| 申请公布号 |
TWI446487 |
申请公布日期 |
2014.07.21 |
| 申请号 |
TW097103408 |
申请日期 |
2008.01.30 |
| 申请人 |
格罗方德半导体公司 美国 |
发明人 |
史瑞克 克里斯多夫;克希尔特 沃克 |
| 分类号 |
H01L21/768;H01L23/52;H01L21/321 |
主分类号 |
H01L21/768 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
| 主权项 |
一种形成积体电路之方法，包括：在形成于介电层之金属区的暴露表面上形成含氮层；暴露该含氮层于基于含铝气体所建立的环境，以在该金属区上形成含铝及氮之第一阻障层；以及在该含铝及氮之第一阻障层上形成低k介电材料。 |
| 地址 |
美国 |
